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ROHM SCT3030ALGC11 MOSFET

訂 貨 號:SCT3030ALGC11      品牌:LG

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ROHM SCT3030ALGC11 MOSFET
產品詳細信息

低接通電阻,快速切換速度,快速反向恢復,易于并行且易于驅動,無鉛引線電鍍,符合 RoHS 標準


屬性 數值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 70 A
最大漏源電壓 650 V
封裝類型 TO-247N
安裝類型 通孔
引腳數目 3
最大漏源電阻值 39.6 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 5.6V
最小柵閾值電壓 2.7V
最大功率耗散 339 W
晶體管配置
最大柵源電壓 22 V
晶體管材料 SiC
長度 16mm
最高工作溫度 +175 °C
每片芯片元件數目 1
典型柵極電荷@Vgs 104 nC @ 18 V
寬度 5mm
暫無

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