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onsemi FGA25N120ANTDTU IGBT

訂貨號(hào)：FGA25N120ANTDTU 品牌：安森美_Onsemi

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分離式 IGBT、1000V 及以上，F(xiàn)airchild Semiconductor

IGBT 分立件和模塊，F(xiàn)airchild Semiconductor

絕緣柵級(jí)雙極性晶體管或 IGBT 是一種三極管功率半導(dǎo)體設(shè)備，以高效和快速切換著稱(chēng)。 IGBT 通過(guò)將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開(kāi)關(guān)的雙極性功率晶體管組合在單個(gè)設(shè)備中，將 MOSFET 的簡(jiǎn)單柵極驅(qū)動(dòng)特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。

屬性	數(shù)值
最大連續(xù)集電極電流	50 A
最大集電極-發(fā)射極電壓	1200 V
最大柵極發(fā)射極電壓	±20V
最大功率耗散	312 W
封裝類(lèi)型	TO-3P
安裝類(lèi)型	通孔
通道類(lèi)型	N
引腳數(shù)目	3
開(kāi)關(guān)速度	1MHz
晶體管配置	單
尺寸	15.8 x 5 x 18.9mm

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