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onsemi NXH450B100H4Q2F2SG IGBT

訂 貨 號:NXH450B100H4Q2F2SG      品牌:安森美_Onsemi

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onsemi NXH450B100H4Q2F2SG IGBT
產品詳細信息

ON Semiconductor Q2BOOST 模塊是 Si 或 SiC 混合三通道對稱升壓模塊。每個通道包含兩個 1000 V , 150 A IGBT ,兩個 1200 V , 30 A SiC 二極管和兩個 1600 V , 30 A 旁路二極管。該模塊包含一個 NTC 熱敏電阻。

硅或 SiC 混合技術可最大程度提高功率密度
低切換損耗可減少系統功耗
低電感布局
壓配和焊接引腳選項
此設備無鉛,無鹵,符合 RoHS 標準


屬性 數值
最大連續集電極電流 101 A
最大集電極-發射極電壓 1000 V
最大柵極發射極電壓 ±20V
晶體管數 2
最大功率耗散 79 W
封裝類型 Q2BOOST - 箱 180BR (無鉛和無鹵化物焊接引腳)
暫無

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