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Vishay SI7489DP-T1-E3 IGBT

訂 貨 號:SI7489DP-T1-E3      品牌:威世_Vishay

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Vishay SI7489DP-T1-E3 IGBT
產品詳細信息

Vishay MOSFET

Vishay 表面安裝 P 溝道 SO-8 MOSFET 是一款新時代的產品,漏極源電壓為 100V ,最大柵極源電壓為 20V。它在柵極源電壓為 10V 時具有 41mms 的漏 - 源電阻。它的最大功耗為 83W ,連續漏極電流為 28A。它的最小和最大驅動電壓分別為 4.5V 和 10V。此產品經過優化,可降低切換和傳導損耗。MOSFET 提供出色的效率以及長且高效的使用壽命,而不會影響性能或功能。

特點和優勢

? 無鹵素
?新型低熱阻 PowerPAK 封裝,薄型 1.07mm
?工作溫度范圍 -55°C 至 150°C
? PWM 優化
? TrenchFET 功率 MOSFET

應用

?半橋電動機驅動器
?高電壓非同步降壓轉換器
?負載開關

認證

? ANSI/ESD S20.20 : 2014
? BS EN 61340-5-1 : 2007
? IEC 61249-2-21


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