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產(chǎn)品分類

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onsemi NXH100B120H3Q0PTG IGBT

訂 貨 號:NXH100B120H3Q0PTG      品牌:安森美_Onsemi

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:

品牌商價(jià):¥0.00

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公司基本資料信息







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onsemi NXH100B120H3Q0PTG IGBT
產(chǎn)品詳細(xì)信息

NXH100B120H3Q0 是一款電源模塊,包含一個(gè)雙升壓級,由兩個(gè) 50A/1200V IGBT、兩個(gè) 20A/1200V SiC 二極管和兩個(gè)用于 IGBT 的 25A/1600V 反并聯(lián)二極管組成。包括兩個(gè)用于浪涌電流限制的附加 25A/1600V 旁路整流器。包括一個(gè)板載熱敏電阻。

IGBT 規(guī)格:VCE(SAT) = 1.77 V,ESW = 2180 uJ
快速 IGBT,帶低 VCE (SAT),用于提高效率
25 A/1600 V 旁通和防并聯(lián)二極管
低 VF 旁路二極管,可在旁路模式下提高出色的效率
SiC 整流器規(guī)格:VF = 1.44 V
SiC 二極管,確保高速切換
提供焊接引腳和壓配引腳選項(xiàng)
安裝靈活
應(yīng)用
mppt 升壓級
電池充電器升壓級


屬性 數(shù)值
最大集電極-發(fā)射極電壓 1200 V
最大柵極發(fā)射極電壓 ±20V
最大功率耗散 186 W
配置
封裝類型 Q0BOOST
安裝類型 表面貼裝
通道類型 N
引腳數(shù)目 22
晶體管配置 雙路
尺寸 66.2 x 32.8 x 11.9mm
暫無

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