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STMicroelectronics STGWA30IH65DF IGBT

訂 貨 號:STGWA30IH65DF      品牌:Tronics

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STMicroelectronics STGWA30IH65DF IGBT
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STMicroelectronics 650 v HB2 系列代表先進 Advanced gate field-stop 結構的演變。由于在低電流值下具有更好的 vce ( sat )行為、以及在降低切換能量方面、 HB2 系列的傳導性能得到了優化。

設計僅用于軟換向
最大接點溫度: tj = 175 °c
vce ( sat ) = 1.55 v (典型值) @ ic = 30 a
最小化尾電流
嚴格的參數分布
低熱阻
低壓降電壓續流聯合封裝二極管
正 vce ( sat )溫度系數


屬性 數值
最大連續集電極電流 60 A
最大集電極-發射極電壓 650 V
最大柵極發射極電壓 ±20V
晶體管數 1
最大功率耗散 108 W
封裝類型 TO-247
引腳數目 4
暫無

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