ON Semiconductor 雙升壓電源模塊是包含雙升壓級的電源模塊。集成的場截止溝道 IGBT 和 SiC 二極管提供更低的傳導損耗和切換損耗,使設計人員能夠實現高效率和卓越的可靠性。
1200 V 超場截止 IGBT
低反向恢復和快速切換 SiC 二極管
1600 V 旁路和抗并聯二極管
低電感布局
可焊接引腳或壓配引腳
熱敏電阻選項,帶預應用熱接口材料,不帶預應用 TIM
屬性 | 數值 |
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最大連續集電極電流 | 61 A |
最大集電極-發射極電壓 | 1200 V |
最大柵極發射極電壓 | ±20V |
最大功率耗散 | 186 W |
晶體管數 | 2 |
封裝類型 | 箱 180AJ (無鉛和無鹵化物) 焊接引腳 |