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威世 SIA433EDJ-T1-GE3 IGBT

訂 貨 號:SIA433EDJ-T1-GE3      品牌:威世_Vishay

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威世 SIA433EDJ-T1-GE3 IGBT
產品詳細信息

Vishay MOSFET

Vishay 表面安裝 P 溝道 PowerPAK-SC70-6 MOSFET 是一款新時代的產品,漏極源電壓為 20V ,最大柵極源電壓為 12V。在 4.5V 的柵極源電壓下,漏極源電阻為 18mms。它的最大功耗為 19W ,連續漏極電流為 12A。它的最小和最大驅動電壓分別為 1.8V 和 4.5V。此產品經過優化,可降低切換和傳導損耗。MOSFET 提供出色的效率以及長且高效的使用壽命,而不會影響性能或功能。

特點和優勢

?內置 ESD 保護,帶齊納二極管
? 無鹵素
?無鉛 (Pb) 組件
?低接通電阻
?新型熱增強型 PowerPAK SC-70 封裝
?工作溫度范圍 -55°C 至 150°C
?占地面積小
? TrenchFET 功率 MOSFET
?典型 ESD 性能為 1800V

應用

?蓄電池開關
?充電器開關
?負載開關
? 便攜式設備

認證

? ANSI/ESD S20.20 : 2014
? BS EN 61340-5-1 : 2007
?經過 RG 測試


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