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STMicroelectronics STGYA50H120DF2 IGBT

訂 貨 號:STGYA50H120DF2      品牌:Tronics

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STMicroelectronics STGYA50H120DF2 IGBT
產品詳細信息

STMicroelectronics IGBT 使用 Advanced 專有溝道柵極場停止結構開發。此設備是 H 系列 IGBT 的一部分,它代表傳導和切換損耗之間的最佳平衡,以最大程度提高高切換頻率轉換器的效率。此外, VCE (sat) 溫度系數略為正,參數分布非常緊密,可實現更安全的并聯操作。

最大接點溫度 TJ = 175 °C
μs 耐受時間為 5 μ s
低 VCE (sat) = 2.1 V (典型值) @ IC = 50 A
嚴格的參數分布
正 VCE (sat) 溫度系數
低熱阻
反并聯二極管恢復速度非???


屬性 數值
最大連續集電極電流 50 A
最大集電極-發射極電壓 1200 V
最大柵極發射極電壓 ±20V
最大功率耗散 535 W
晶體管數 1
封裝類型 最大 247 長引線
配置 串行
暫無

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