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IXYS IXYH30N170C IGBT

訂 貨 號:IXYH30N170C      品牌:艾賽思_IXYS

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IXYS IXYH30N170C IGBT
產品詳細信息

IXYS XPT(超強光穿透)IGBT 具有 29 A 到 178 A 的額定電流范圍,非常適合用于高電壓、高速功率轉換應用。這些設備采用專有的薄芯片 XPT 技術和最先進的 IGBT 工藝設計而成,具有低熱阻、低尾電流、低能耗和高速切換能力等特性。此外,得益于其通態電壓的正溫度系數,新型高電壓 IGBT 可并聯使用,提供比串聯的低電壓設備更經濟高效的解決方案。

薄芯片 XPT 技術
低通態電壓 VCE(sat)
Co-pack 快恢復二極管
正溫度系數 VCE(sat)
高效率
增強電源系統可靠性
應用
脈沖發生器電路
激光和 X 射線發生器
高電壓電源
高電壓測試設備
電容器放電電路
交流開關


屬性 數值
最大連續集電極電流 100 A
最大集電極-發射極電壓 1700 V
最大柵極發射極電壓 ±20 V, ±30V
最大功率耗散 937 W
晶體管數 1
封裝類型 TO247AD
安裝類型 通孔
引腳數目 3
晶體管配置
尺寸 16.13 x 5.21 x 21.34mm
暫無

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