Infineon IKW50N65EH5 是 650 V 高速硬切換 IGBT ,與 Rapid SI-DIODE 技術(shù)一起使用。它具有更高的功率密度設(shè)計和低 COES/EOSS。
因子 2.5 ,下 Qg
因素 2 減少切換損耗
VCEsat 降低 200mV
屬性 | 數(shù)值 |
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最大連續(xù)集電極電流 | 80 A |
最大集電極-發(fā)射極電壓 | 650 V |
最大柵極發(fā)射極電壓 | 30V |
晶體管數(shù) | 1 |
最大功率耗散 | 275 W |
封裝類型 | PG-TO247 |
配置 | 單 |
通道類型 | N |
引腳數(shù)目 | 3 |