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產(chǎn)品分類

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Infineon FP75R12KT4BOSA1 IGBT

訂 貨 號(hào):FP75R12KT4BOSA1      品牌:英飛凌_Infineon

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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Infineon FP75R12KT4BOSA1 IGBT
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Infineon IGBT 模塊的最大額定集電極發(fā)射極電壓為 1200 V,總耗散功率為 355 W,最大柵極閾值電壓為 6.5 V。

內(nèi)部隔離基本絕緣(1 類,IEC 61140)
柵極-發(fā)射極峰值電壓 + /- 20 V
集電極-發(fā)射極飽和電壓 2.15 V
柵極-發(fā)射極泄漏電流 400 nA


屬性 數(shù)值
最大連續(xù)集電極電流 75 A
最大集電極-發(fā)射極電壓 1200 V
最大柵極發(fā)射極電壓 ±20V
晶體管數(shù) 7
封裝類型 EconoPIM
暫無

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