STMicroelectronics HB2 650 v 、但其代表著先進 Advanced trench gate field-stop 結(jié)構(gòu)的演變。由于在低電流值下具有更好的 vce ( sat )行為、以及在降低切換能量方面、 HB2 系列的傳導(dǎo)性能得到了優(yōu)化。僅用于保護目的的二極管與電極絕緣并聯(lián)封裝。結(jié)果是專門設(shè)計用于最大程度提高效率的產(chǎn)品、適用于各種快速應(yīng)用。
最大接點溫度為 175°c
共封裝保護二極管
最小化尾電流
嚴格的參數(shù)分布
低熱阻
正溫度系數(shù)
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
最大連續(xù)集電極電流 | 40 A |
最大集電極-發(fā)射極電壓 | 650 V |
最大柵極發(fā)射極電壓 | 20V |
最大功率耗散 | 147 W |
晶體管數(shù) | 1 |
封裝類型 | TO-247 |
通道類型 | N |
引腳數(shù)目 | 3 |
晶體管配置 | 單 |