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Vishay SI7121ADN-T1-GE3 IGBT

訂 貨 號:SI7121ADN-T1-GE3      品牌:威世_Vishay

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Vishay SI7121ADN-T1-GE3 IGBT
產品詳細信息

Vishay MOSFET

Vishay 表面安裝 P 溝道 PowerPAK-1212-8 MOSFET 是一款新時代的產品,漏極源電壓為 30V ,最大柵極源電壓為 25V。它在柵極源電壓為 10V 時具有 15 mohms 的漏 - 源電阻。它的最大功耗為 27.8W ,連續漏極電流為 18A。它的最小和最大驅動電壓分別為 4.5V 和 10V。此產品經過優化,可降低切換和傳導損耗。借助此 MOSFET ,可以以更低的成本實現出色的性能和效率。MOSFET 提供出色的效率和長工作壽命,而不影響性能或功能。

特點和優勢

? 無鹵素
?小尺寸低熱阻 Powerpak 封裝
?最大耗散功率為 27.8W
?工作溫度范圍介于 -50°C 和 150°C 之間
? TrenchFET 功率 MOSFET

應用

?移動計算
?適配器開關
?負載開關 - 電池管理
? 筆記本電腦
? 電源管理

認證

? ANSI/ESD S20.20 : 2014
? BS EN 61340-5-1 : 2007
?經過 RG 測試
? UIS 測試


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