1200 V IGBT M 系列基于溝道場截止 (TFS) 技術(shù),設(shè)計用于在 2 至 20 kHz 切換頻率下工作的應(yīng)用。這些 IGBT 具有高度優(yōu)化的傳導(dǎo)和關(guān)斷特性以及導(dǎo)通損耗,特別適用于應(yīng)用(例如太陽能反相器、焊接設(shè)備、UPS 和工業(yè)電動機驅(qū)動器)中的硬切換電路。
低損耗 IGBT 系列,用于高達 20 kHz 的應(yīng)用
由于達到 1200 V 的擊穿電壓,因此堅固耐用,非常可靠
薄型 IGBT 模具,用于增加熱阻
正 VCE(sat) 溫度系數(shù),具有嚴格的參數(shù)分布
優(yōu)化二極管,確保快速恢復(fù)
短路耐受時間為 11 μs
嚴格的參數(shù)分布
更安全的并聯(lián)
低熱阻
反并聯(lián)二極管柔軟且可快速恢復(fù)
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
最大連續(xù)集電極電流 | 16 A @ +25°C |
最大集電極-發(fā)射極電壓 | 1200 V |
最大柵極發(fā)射極電壓 | ±20V |
晶體管數(shù) | 1 |
最大功率耗散 | 167 W |
封裝類型 | TO |
安裝類型 | 通孔 |
通道類型 | N |
引腳數(shù)目 | 3 |
開關(guān)速度 | 1MHz |
晶體管配置 | 單 |
尺寸 | 15.75 x 5.15 x 20.15mm |