onsemi FGH4L50T65SQD IGBT
產品詳細信息
ON Semiconductor 650 V ， 50 A FS4 高速 IGBT。這通過平衡 VCE (sat) 和 Eoff 損耗以及可控的 Turnoff VCE 過沖來提供出眾性能。非常適合太陽能逆變器， UPS ， EV 充電站， ESS 和其他高性能功率轉換應用。
正溫度系數
易于并聯操作
低切換損耗
| 屬性 |
數值 |
| 最大連續集電極電流 |
200 A |
| 最大集電極-發射極電壓 |
650 V |
| 最大柵極發射極電壓 |
15V |
| 最大功率耗散 |
268 W |
| 晶體管數 |
30 |
| 封裝類型 |
TO-247-4ld |
