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STMicroelectronics STGB30H65DFB2 IGBT

訂貨號(hào)：STGB30H65DFB2 品牌：Tronics

庫(kù)存數(shù)量：10 品牌屬性：

品牌商價(jià)：￥0.00

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STMicroelectronics STGB30H65DFB2 IGBT

產(chǎn)品詳細(xì)信息

STMicroelectronics 650 v HB2 系列代表先進(jìn) Advanced gate field-stop 結(jié)構(gòu)的演變。由于在低電流值下具有更好的 vce （ sat ）行為、以及在降低切換能量方面、 HB2 系列的傳導(dǎo)性能得到了優(yōu)化。

最大接點(diǎn)溫度： tj = 175 °c
低 vce （ sat ） = 1.65 v （典型值） @ ic = 30 a
非常快速且軟恢復(fù)的共封二極管
最小化尾電流
嚴(yán)格的參數(shù)分布

屬性	數(shù)值
最大連續(xù)集電極電流	50 A
最大集電極-發(fā)射極電壓	650 V
最大柵極發(fā)射極電壓	±20V
最大功率耗散	167 W
晶體管數(shù)	1
封裝類(lèi)型	D2PAK (TO-263)
引腳數(shù)目	3

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