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IXYS IXFB82N60Q3 MOSFET

訂貨號(hào)：IXFB82N60Q3 品牌：IXYS/艾賽思

庫(kù)存數(shù)量：10 品牌屬性：

RoHS：符合

市場(chǎng) 價(jià)：￥0.00 品牌商：￥0.00

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N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET? Q3 系列

HiperFET? Power MOSFET 的 IXYS Q3 類極其適用于硬切換和諧振模式應(yīng)用，可提供帶有卓越強(qiáng)度的低柵極電荷。該設(shè)備包含一個(gè)快速本質(zhì)二極管且提供各種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝，包括隔離類型，帶有額定值高達(dá) 1100V 和 70A。典型應(yīng)用包括直流－直流轉(zhuǎn)換器、電池充電器、開關(guān)模式和諧振模式電源、直流斬波器、溫度和照明控制。

快速本質(zhì)整流器二極管
低 RDS（接通）和 QG（柵極電荷）
低本質(zhì)柵極電阻
工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝
低封裝電感
高功率密度

MOSFET 晶體管，IXYS

IXYS 的一系列高級(jí)離散電源 MOSFET 設(shè)備

屬性	數(shù)值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	82 A
最大漏源電壓	600 V
封裝類型	PLUS264
安裝類型	通孔
引腳數(shù)目	3
最大漏源電阻值	75 mΩ
通道模式	增強(qiáng)
最大柵閾值電壓	6.5V
最大功率耗散	1.56 kW
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-30 V、+30 V
每片芯片元件數(shù)目	1
寬度	5.31mm
典型柵極電荷@Vgs	275 nC @ 10 V
長(zhǎng)度	20.29mm
晶體管材料	Si
最高工作溫度	+150 °C

暫無

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