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+比較
低 RDS(接通)和 Qg
快速體二極管
dv/dt 穩(wěn)定
雪崩等級
低封裝電感
國際標(biāo)準(zhǔn)封裝
諧振模式電源
高強度放電 (HID) 燈鎮(zhèn)流器
交流和直流電動機驅(qū)動器
直流 - 直流轉(zhuǎn)換器
機器人和伺服控制
電池充電器
3 級太陽能逆變器
LED 照明
無人機 (UAV)
效率更高
高功率密度
安裝簡便
節(jié)省空間
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 60 A |
最大漏源電壓 | 650 V |
封裝類型 | TO-268HV |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 52 mΩ |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 5V |
最小柵閾值電壓 | 3.5V |
最大功率耗散 | 780 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | ±30 V |
寬度 | 15.15mm |
長度 | 16.05mm |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
典型柵極電荷@Vgs | 108 nC @ 10 V |
最高工作溫度 | +150 °C |